半导体epi工艺是一种在晶体生长过程中外延生长新的半导体材料层的工艺。通常使用化学气相沉积或分子束外延等方法，在已有的晶体基片上沉积一层新的半导体材料，以改变材料的性能或制备特定结构。

这种工艺可用于制备光电子器件、光通信器件、激光器件等，对于提高半导体器件的性能和功能具有重要意义。半导体epi工艺在半导体产业中具有广泛的应用和发展前景。